晶圓代工龍頭台積電(2330)與半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)宣布發起產業合作,共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋,目標於2031年前建立12吋光罩試產線,並於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒,以支援先進製程量產。台積電指出,擴大光罩尺寸有望提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本,同時解除High NA EUV......
全球晶圓製造龍頭台積電與曝光機大廠艾司摩爾(ASML)今(8)日宣布發起合作,共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光(EUV)微影光罩,High NA EUV將自現行的6吋光罩,轉移至更大的12吋光罩,計劃於2031年前建立試產線,2033年導入先進製程量產。台積電與ASML表示,從6吋光罩轉移至12吋光罩,預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製......
為替高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)技術進入先進製程量產掃除雙光罩拼接限制,台積電(2330)與全球微影設備大廠艾司摩爾(ASML,NASDAQ:ASML)今(8)日宣布展開產業合作,將High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋。雙方目標於2031年前建立12吋光罩試產線,並於2033年前讓相關微影系統全面就緒,支援先進製程量產。台積電並表......
High NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影)把數值孔徑從0.33提高至0.55,帶來更高解析度及成像對比,卻也同時縮小景深與曝光視場,衍生對焦裕度不足、晶片圖形必須拼接兩大難題。ASML(NASDAQ:ASML;Euronext Amsterdam:ASML)High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan ......
AI基礎建設投資熱潮持續向半導體製造端擴散,從2奈米、3奈米先進製程、HBM與企業級SSD,一路帶動測試、先進封裝及材料需求升溫。國際半導體產業協會(SEMI)31日預告9月最新市場展望,2028年全球晶圓廠設備(Wafer Fab Equipment,WFE)市場預估將由原先的2,000億美元,大幅上修至2,200億美元(約新台幣6.97兆元);測試設備同......
台積電在美國設立亞利桑那州晶圓廠,營運狀況持續提升,雖外界一直對於在美國建廠成本遠高於台灣表示憂慮,不過根據美國銀行(Bank of America)最新報告指出,亞利桑那廠在今年第2季的營收創下新高,突破新台幣400億元,營收占比突破至4%以上。外媒對此直言,台積電的訂單「正在重塑美國晶片經濟」。科技媒體《Wccftech》表示,台積電亞利桑那廠擁有在美國......