高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)技術正從先進邏輯晶片跨入記憶體製造。Samsung Electronics今(8)日宣布擴大與艾司摩爾(ASML,NASDAQ:ASML)的策略合作,計畫於2028年前將High NA EUV導入未來DRAM大量製造,並以業界首度在DRAM量產採用這項技術為目標。除了布局DRAM,Samsung也將加入下一代12吋......
High NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影)把數值孔徑從0.33提高至0.55,帶來更高解析度及成像對比,卻也同時縮小景深與曝光視場,衍生對焦裕度不足、晶片圖形必須拼接兩大難題。ASML(NASDAQ:ASML;Euronext Amsterdam:ASML)High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan ......